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NAND Flash 2020年新战场暗潮汹涌 各家布局蓄势待发

作者:韩青秀时间:2019-07-24来源:DIGITIMES收藏

受到东芝工厂停产及日韩贸易战导致存储器价格将反转契机出现,价格调涨从7月开始显现,而国际大厂之间的技术竞争更是暗潮汹涌。

本文引用地址:http://www.c3dnow.com/article/201907/403016.htm

各家NAND大厂争取资料中心庞大的储存商机,2020年将进入新一波技术对决。

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业界认为,随著各家大厂96层3D NAND迈入量产,2019年下半将开始进入新一代制程竞争,(Samsung Electronics)不仅将量产的第六代3D V NAND(即120/128层),旗下的将与研发的XL-Flash形成对决,并与英特尔、美光的抢攻资料中心的储存市场大饼。

2019年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)即将于8月在美国登场,各家大厂将纷纷亮出战略性武器展示火力,而即将于2019 年10 月1 日正式改名为Kioxia的展开上市规划。据透露,XL-Flash将成为此次力拱的发表重点,由于具有低延迟的特性,将锁定于资料中心及特殊商用市场。

三星日前于首尔投资人论坛上公布2019年下半~2022年依序量产第六~第八代3D V NAND目标,提前宣告128层前哨战开打,更让业界关注的是,三星技术从2018年开始应用于高阶企业产品上,2019年更积极推动 SSD开始大量应用到资料中心。

业界指出,2020年起技术竞争将分为两大趋势,包括从96层技术加快推动至128层NAND,以达成更具竞争力的生产生本,另一方面,各家大厂积极抢攻资料中心及高阶商用产品的动作更为积极,将主打特殊制程的储存级存储器,形成技术对决的新战局。

英特尔将/Optane存储器生产作为抢攻资料中心及服务器市场的重要布局环节,不同于其它NAND业者为了维持产品市占而提高产能,英特尔的作为典型的相变化存储器,其结构是一种交叉点架构,3D XPoint以两层堆叠架构打造,密度为128GB(gigabit),是介于DRAM和NAND之间的储存存储器,比NAND快速和耐久。

英特尔2018年起开始推出3D XPoint/Optane,以及高容量3D NAND存储器产品上市,作为提高客户端和服务器平台产品市场竞争力,以及形成市场差异化的要素。

英特尔与美光在新一代3D Xpoint产品开发达成分家协议,但美光仍看好,资料中心将受到异质运算比重增加,带动存储器需求也可望增加6倍,内部规划将推出更高容量的3D XPoint存储器目前正与客户进行测试中,主要应用市场将锁定于资料中心,近期也可望对外发布新进展。

业界分析,由于XL-Flash及Z-NAND都归类于低延迟快闪存储器(Low Latency NAND),作为DRAM 与 SSD 之间的缓存存储器(cache memory),并主打低延迟、高性能和长寿命,其涵盖的应用面虽然不如3D Xpoint 广泛,但应用至资料中心等特殊领域上,将能发挥更高的成本竞争优势。

供应链认为,尽管2019年下半资料中心的存储器库存水位开始降低,但回升速度并不如预期强劲,主要仍受到短期市场前景不明的影响,但2020年5G技术即将铺天盖地展开,资料中心建置与升级需求将重回成长动能,虽然成长复苏的力道是否如同往年强劲仍有待观察,但储存存储器已成为兵家必争之地。

挟著资料中心布局优势的英特尔已推出3D XPoint/Optane、美光也即将新一代3D XPoint、三星Z-NAND以及SK海力士旗下与英特尔相似的3D XPoint(硫族化合物;chalcogenide)以及东芝存储器开发的XL-Flash等都将重兵部署,2020年将可望在资料中心及高阶商用市场再掀起版图争夺战。



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